我国成功在太空验证第三代碳化硅半导体功率器材
我国成功在太空验证第三代碳化硅半导体功率器材
发布日期: 2025-04-01 10:06:05
   来源:理士DGM系列  
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  新华社上海2月2日电(记者张建松、张泉)我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器材,这一重要效果标志着我国航天电源体系升级进入新阶段。据悉,该项验证于2024年11月15日进行,搭载于天舟八号货运飞船,旨在进行空间实测与使用验证。

  功率器材作为电能改换和操控的中心,大范围的使用于电力电子体系。在传统硅基器材功能挨近极限的情况下,碳化硅(SiC)以其高能效、小型化与轻量化的优势,有望满意未来航天技能对电源体系的更高要求。

  我国科学院微电子研究所的刘新宇研究员表明,本次在轨实验继续一个多月,碳化硅(SiC)载荷的测试数据正常,均契合预期,成功验证了高压400V的SiC功率器材的使用功能。这将为未来的单电源模块到达千瓦级奠定根底。

  业界有经历的人指出,第三代半导体资料的成功验证,将显着提高我国航天数字电源的功率装备,关于深空探究、载人登月及探月工程等范畴具有极端严重支撑效果。此项技能进步不只展现了我国在半导体制作范畴的发展,一起也为未来的航天使命供给可信赖的技能保证。回来搜狐,检查更加多